[发明专利]联合封装高端和低端芯片的半导体器件及其制造方法

摘要

一种联合封装高端和低端芯片的半导体器件及其制造方法，该器件中低端和高端芯片分别粘贴在导电的引线框架的两边，使低端芯片的底部漏极电性连接载片基座的顶面，高端芯片的顶部源极通过对应的焊球，电性连接在载片基座的底面。本发明中由于低端芯片、引线框架的载片基座、高端芯片是立体布置的，能够减小整个器件的尺寸；将三者塑封之后，所述高端芯片背面覆盖的金属层或导电金属贴片，暴露设置在该半导体器件背面的封装体以外，有效改善器件的散热性能。

主权项

一种联合封装高端和低端芯片的半导体器件，其特征在于，包含导电的引线框架(100)，其设置有载片基座(110)；低端芯片(200)和高端芯片(300)，其各自设置有顶部源极、顶部栅极和底部漏极；其中所述高端芯片(300)的顶部源极上植设有若干导电的源极焊球(311)，顶部栅极上植设有若干导电的栅极焊球(312)；所述低端芯片(200)的背面固定连接至引线框架(100)的正面，并且使该低端芯片(200)的底部漏极电性连接在载片基座(110)的顶面；所述高端芯片(300)的正面固定连接至引线框架(100)的背面，并且使该高端芯片(300)的顶部源极通过所述若干源极焊球(311)电性连接至载片基座(110)的底面；所述半导体器件还包含封装体(400)，将依次堆叠布置的低端芯片(200)、引线框架(100)的载片基座(110)、高端芯片(300)塑封在所述封装体(400)中，而使所述高端芯片(300)的背面暴露在所述半导体器件背面的封装体(400)以外来进行散热。