[发明专利]一种MEMS拱形结构的制造方法无效
| 申请号： | 201110308645.8 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102358613A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈俊;杨增涛;吴建;黄磊;徐俊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS拱形结构的制造方法，通过运用牺牲层技术、选择性化学机械抛光以及镀膜技术，制作出一种新颖的MEMS拱形结构。本发明制作的拱形结构能实现微米级结构，工艺简单、制作效率高；由于采用低温工艺，避免了高温退火工艺对器件性能的影响；由于拱形结构内应力小，避免了拱形结构内部存在较大预应力；牺牲层台阶处平滑，避免了容易断裂的问题。本发明广泛应用于MEMS器件制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 拱形 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS拱形结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)在硅片上进行光刻、刻蚀，形成沟槽；(2)在所述形成了沟槽的硅片上淀积SiO2牺牲层；(3)采用第一次化学机械抛光工艺，对硅片的表面进行平整化，将硅片表面的SiO2去除干净，沟槽内填满SiO2牺牲层；(4)采用第二次化学机械抛光工艺，去掉硅片表面的一定厚度的硅层；(5)在所述两次抛光工艺后的硅片上淀积支撑层；(6)光刻支撑层，并在支撑层上开出腐蚀窗口；(7)采用干法或湿法腐蚀工艺，腐蚀去掉SiO2牺牲层，最终形成一种MEMS拱形结构。
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