[发明专利]一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110308637.3 申请日: 2011-10-12
公开(公告)号: CN102503425A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 余兆菊;杨乐;周聪;詹俊英;涂惠彬;廖志楠;何国梅;夏海平;陈立富 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C04B35/56 分类号: C04B35/56;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法,涉及一种无机非金属材料复相陶瓷。在惰性气氛保护下,用溶剂溶解二氯二茂锆,再加入液态超支化聚碳硅烷,得混合物A;在惰性气氛保护下,将混合物A减压蒸馏脱除溶剂,得混合物B,在惰性气氛下进行裂解反应,制得碳化硅/碳化锆复相陶瓷。二氯二茂锆可用作锆源,可催化液态超支化聚碳硅烷的交联反应,提高陶瓷产率;碳化锆能够抑制碳化硅微晶晶粒的增长,提高复合材料的耐高温、抗氧化性能;控制杂化先驱体中二氯二茂锆的含量,可实现复相陶瓷中锆含量的可控;液态超支化聚碳硅烷/二氯二茂锆杂化先驱体中无氧,减少了高温裂解过程中气体的逸出,陶瓷致密度高,操作简单,易于工程化。
搜索关键词: 一种 碳化硅 碳化 锆复相 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)在惰性气氛保护下,用溶剂溶解二氯二茂锆,再加入液态超支化聚碳硅烷,得混合物A;2)在惰性气氛保护下,将步骤1)所得的混合物A减压蒸馏脱除溶剂,得混合物B;3)将步骤2)所得的混合物B在惰性气氛下进行裂解反应,制得碳化硅/碳化锆复相陶瓷。
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