[发明专利]一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 201110308637.3 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102503425A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 余兆菊;杨乐;周聪;詹俊英;涂惠彬;廖志楠;何国梅;夏海平;陈立富 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 碳化 锆复相 陶瓷 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)在惰性气氛保护下，用溶剂溶解二氯二茂锆，再加入液态超支化聚碳硅烷，得混合物A；
2)在惰性气氛保护下，将步骤1)所得的混合物A减压蒸馏脱除溶剂，得混合物B；
3)将步骤2)所得的混合物B在惰性气氛下进行裂解反应，制得碳化硅/碳化锆复相陶瓷。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述二氯二茂锆和液态超支化聚碳硅烷的质量比为1∶10～1。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述溶剂为二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、三氯甲烷、二氯甲烷、四氢呋喃、正己烷中的一种。
4.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述液态超支化聚碳硅烷的平均分子式为-[SiHRCH2]n-，其中R为氢原子、烷基、烯基、炔基等有机基团，n为液态超支化聚碳硅烷的平均聚合度，且n≥3。
5.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述减压蒸馏脱除溶剂的方法是采用真空减压蒸馏的方法。
6.如权利要求1所述的一种碳化硅/碳化锆复相陶瓷的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述裂解反应的温度为1200～1800℃，裂解反应的时间为10～120min。
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