[发明专利]硅双向触发二极管无效
申请号: | 201110301602.7 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN103035741A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 孔明 | 申请(专利权)人: | 孔明 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/31;H01L23/544 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213177 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体器件,尤其是一种硅双向触发二极管。硅双向触发二极管,包括二极管本体,所述的二极管本体由N-P-N三层半导体材料制成,具有对称性的二端,对称性的二端对外引出两个电极,所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层。本发明结构简单,二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响,环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层,方便正确使用。 | ||
搜索关键词: | 双向 触发 二极管 | ||
【主权项】:
硅双向触发二极管,包括二极管本体(1),其特征在于:所述的二极管本体(1)由N‑P‑N三层半导体材料制成,具有对称性的二端,对称性的二端对外引出两个电极(2),所述的二极管本体(1)塑封在环氧树脂管(3)内,环氧树脂管(3)外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体(1)转折电压和工作参数的涂层(4)。
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