[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法、背光模组无效
| 申请号： | 201110297487.0 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103035807A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张超雄;林厚德 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00;F21S8/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括基板、形成于基板上的第一半导体层、形成于第一半导体层上的发光层、形成于发光层上的第二半导体层、设置于第一半导体层上的第一电极及设置于第二半导体层上的第二电极，所述第一半导体层远离基板的表面包括第一区域及环绕该第一区域的第二区域，所述发光层、第二半导体层及第二电极依次形成于所述第二区域上，所述第一电极形成于所述第一区域上，该第一电极的顶部高出所述发光层远离基板的表面，使得所述发光层朝向第一电极发出的光线经过第一电极的反射而朝向发光二极管晶粒的外侧射出。本发明的发光二极管晶粒在使用中出光均匀。本发明还包括上述发光二极管晶粒的制作方法以及使用该发光二极管晶粒的背光模组。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制作方法 背光 模组 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括基板、形成于基板上的第一半导体层、形成于第一半导体层上的发光层、形成于发光层上的第二半导体层、设置于第一半导体层上的第一电极及设置于第二半导体层上的第二电极，其特征在于：所述第一半导体层远离基板的表面包括第一区域及环绕该第一区域的第二区域，所述发光层、第二半导体层及第二电极依次形成于所述第二区域上，所述第一电极形成于所述第一区域上，该第一电极的顶部高出所述发光层远离基板的表面，使得所述发光层朝向第一电极发出的光线经过第一电极的反射而朝向发光二极管晶粒的外侧射出。
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