[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种高亮度LED芯片及其制造方法，由本发明制造方法制得的LED结构芯片包括蓝宝石衬底、具有N电极的N型GaN层、有源层、P型GaN层、绝缘反射层、透明电极层、P电极以及保护层。本发明的LED芯片由于具有绝缘反射层，使提供给本发明LED芯片的全部电流将通过透明电极向P电极周围传递、而不从P电极下注入，电流被有效利用，从而提高LED芯片的出光效率。并且，由于绝缘反射层的反射率很高，能增加光子从芯片逃逸的几率，提高LED芯片的出光效率。因此，采用本发明的方法可以提高LED芯片的出光效率，可使LED芯片的亮度提高10%以上。

主权项

一种高亮度LED芯片的制造方法，其特征在于：所述方法至少包括以下步骤：步骤一，提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、有源层及P型GaN层，以形成发光外延结构层；步骤二，刻蚀所述的发光外延结构层，以去掉部分有源层及部分P型GaN层，并使所述N型GaN层形成具有上台阶部及下台阶部的台阶状结构；步骤三，在所述P型GaN层表面上对应欲制作P电极的区域制作绝缘反射层；步骤四，在所述P型GaN层与所述绝缘反射层表面上制作透明电极层，然后于所述透明电极层表面上与所述绝缘反射层垂向对应的区域制作P电极，及于所述N型GaN层的下台阶部上制作N电极；步骤五，在所述发光外延结构层上表面形成保护层，最后进行研磨、划裂以完成所述高亮度LED芯片的制备。