[发明专利]半导体用镍靶坯热轧方法有效
| 申请号： | 201110286606.2 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102350439A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;王学泽;袁海军 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B21B1/02 | 分类号： | B21B1/02;C22F1/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体用镍靶坯热轧方法，包括：提供镍锭；对所述镍锭进行热处理；对热处理后的镍锭直接进行压延。本发明技术方案制造出了符合用于制造半导体用镍靶材的镍锭，成品率高，且采用该镍锭制造半导体用镍靶材，溅射镍靶材形成的薄膜的质量较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 用镍靶坯 热轧 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体用镍靶坯热轧方法，其特征在于，包括：提供镍锭；对所述镍锭进行热处理；对热处理后的镍锭直接进行压延。
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