[发明专利]图案化聚合物层的方法及封装微电池的方法无效
| 申请号： | 201110279202.0 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102412420A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | M.贝德贾奥伊;S.波勒特 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | H01M10/058 | 分类号： | H01M10/058;H01M10/0565;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供图案化聚合物层的方法及封装微电池的方法。一种图案化布置在支撑件(4)上的聚合物层(22)的方法，该方法包括：在支撑件的第一区域(18a、18b)上沉积由基于锂的聚合抑制剂材料制成的层(16)；在聚合抑制剂层以及支撑件的第二区域(18c)上沉积阳离子可聚合材料(20)；进行聚合处理，从而在第一区域中形成未固化的牺牲层(20)且在第二区域中形成聚合物层(22)；以及去除牺牲层(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 聚合物 方法 封装 电池 | ||
【主权项】：
一种图案化布置在支撑件(4)上的聚合物层(6，22)的方法，该方法包括以下步骤：在所述支撑件的第一区域(18a，18b)上沉积由基于锂的聚合抑制剂材料制成的层(16)；在所述聚合抑制剂层(16)上以及所述支撑件的第二区域(18c)上沉积阳离子可聚合材料(20)；使所述阳离子可聚合材料经受聚合处理，从而在所述第一区域中形成未固化的牺牲层(20)且在所述第二区域中形成所述聚合物层(6，22)；以及去除牺牲层(20)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和代替能源委员会，未经原子能和代替能源委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110279202.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：模拟装置和模拟方法
- 下一篇：BGA半导体封装及其制造方法
