[发明专利]一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构器件无效
| 申请号： | 201110267136.5 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102832257A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王彬 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;G01R31/12;G01R31/16 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构器件。该MIM结构器件包括玻璃衬垫，下电极，栅绝缘层，上电极；该下电极呈分离的块状等间隔的位于玻璃衬垫的上部，该栅绝缘层覆盖在整个下电极上，并与玻璃衬垫紧密接触，该上电极呈分离的块状等间隔的位于该栅绝缘层的上部。通过测试SiNx绝缘层的MIM结构器件，能够准确快速的检测出SiNx绝缘层，以及SiNx绝缘层的介电性能，为薄膜晶体管(TFT)及其栅绝缘层的性能提供了准确工作的依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 测试 sinx 绝缘 mim 结构 器件 | ||
【主权项】：
一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构器件，其包括玻璃衬垫，下电极，栅绝缘层，上电极；其特征在于，该下电极呈分离的块状等间隔的位于玻璃衬垫的上部，该栅绝缘层覆盖在整个下电极上，并与玻璃衬垫紧密接触，该上电极呈分离的块状等间隔的位于该栅绝缘层的上部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中显科技有限公司，未经广东中显科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110267136.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
