[发明专利]等离子处理方法有效
| 申请号： | 201110239141.5 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102856191A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 井上喜晴;森本未知数;松本刚;小野哲郎;金清任光;药师寺守;宫地正和 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够在使用堆积性气体的等离子处理中，抑制被处理体的处理枚数的增加所产生的异物的等离子处理方法。本发明提供一种等离子处理方法，从被导入到处理室内的堆积性气体生成等离子体，通过使载置于该处理室内所设置的试料台上的被处理体以施加了高频电力的状态暴露于上述等离子体中来进行上述被处理体的蚀刻，该等离子处理方法的特征在于：通过重复将上述被处理体暴露于上述等离子体中的第一期间和将上述被处理体暴露于上述等离子体中且针对上述被处理体的蚀刻速率低于该第一期间的第二期间，在向上述处理室内壁面的堆积膜成为非结晶的蚀刻条件下蚀刻上述被处理体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子处理方法，从被导入到处理室内的堆积性气体生成等离子体，通过使载置于该处理室内所设置的试料台上的被处理体以施加了高频电力的状态暴露于上述等离子体中来进行上述被处理体的蚀刻，该等离子处理方法的特征在于：通过重复将上述被处理体暴露于上述等离子体中的第一期间和将上述被处理体暴露于上述等离子体中且针对上述被处理体的蚀刻速率低于该第一期间的第二期间，在向上述处理室内壁面的堆积膜成为非结晶的蚀刻条件下蚀刻上述被处理体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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