[发明专利]利用光伏晶体硅加工废砂浆生产三氯氢硅方法有效

专利信息
申请号: 201110238178.6 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN102408114A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 尹晏生;赵凤忠;高明利;尹克胜 申请(专利权)人: 尹克胜
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 276700 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 利用光伏晶体硅加工废砂浆生产三氯氢硅方法:把光伏晶体硅加工废砂浆按申请号201110101064.7《光伏电池晶体硅加工废砂浆综合处理新方法》分离、回收PEG和铁,得含Si、SiC的二元砂;把氯化钾和硫酸进行复分解反应,制硫酸钾;副产HCl↑经冷冻、脱水、预热处理,得合格HCl气体,利用HCl气体夹带二元砂喷人气流床反应器内,形成旋流,以利Si+3HCl↑=SiHCl3↑+H2↑反应进行和不反应的SiC的分离沉降;反应产物夹带不反应的SiC微粉进入分离提纯系统,经除尘装置分离回收SiC微粉;根据Si氯化物的不同理化性质,进行分离提纯,获得高纯度SiHCl3,用于制备光伏晶体硅材料和有机硅系列产品有机硅烷和烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷等。
搜索关键词: 利用 晶体 加工 砂浆 生产 三氯氢硅 方法
【主权项】:
利用光伏晶体硅加工废砂浆生产三氯氢硅方法,其特征在于:按照申请号201110101064.7《光伏电池晶体硅加工废砂浆综合处理新方法》完成分离、回收废砂浆中的PEG和铁后,把由SiC、Si微粉组成的二元砂与HCl气体混合喷人气流床反应器内,按Si+3HC↑=SiHCl3↑+H2↑反应,制备三氯氢硅,作为制备光伏晶体硅和有机硅烷、烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷的合成原料,不反应的SiC微粉通过分离提纯系统的除尘装置分离回收。
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