[发明专利]子模块和功率半导体模块有效
申请号: | 201110222004.0 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN102347321A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 斯文·贝尔贝里希;阿伦特·温特里希 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L27/02;H01L23/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 车文;樊卫民 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 子模块和功率半导体模块。功率半导体模块的子模块(22b)带有:-至少一部分载体,-布置在该部分载体上的导体轨迹(24),-施布在导体轨迹上的单片集成式半导体结构(26),其包含:-连接半导体结构与导体轨迹的接触面(50),-第一接口(28a)和第二接口(28b),及接在这些接口之间的集成欧姆式电阻(40),及-第三接口(28c)和连在此接口与第二接口之间的双二极管结构(38)。功率半导体模块(2)带有:-上述第一子模块(22b),和-功率半导体(8),其具有控制输入端(21)并布置在载体上,并且和载体构成第二子模块(22a),其中,-第一子模块(22b)在载体上直接位于功率半导体附近,且-控制输入端与第一子模块的第二接口(28b)连接。 | ||
搜索关键词: | 模块 功率 半导体 | ||
【主权项】:
功率半导体模块(2)的子模块(22b),所述子模块带有:‑至少一部分载体(6),‑布置在所述部分载体(6)上的导体轨迹(24),‑施布在所述导体轨迹(24)上的单片集成式半导体结构(26),所述半导体结构(26)包含:‑连接所述半导体结构(26)与所述导体轨迹(24)的接触面(50),‑第一接口(28a)和第二接口(28b),以及接在这些接口(28a、b)之间的集成的欧姆式电阻(40),以及‑第三接口(28c)和连在这个接口(28c)与所述第二接口(28b)之间的双二极管结构(38)。
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