[发明专利]半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法,及生产半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201110216979.2 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102373020A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法，及生产半导体器件的方法。本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层；和半导体背面用膜，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述切割带具有至多45％的雾度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 背面 切割 集成 生产 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层；和半导体背面用膜，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述切割带具有至多45％的雾度。
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