[发明专利]一种高磁电阻值NiFe薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110124341.6 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102290193A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 皇甫加顺;于广华;冯春;腾蛟;李宝河 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F41/08;B32B9/04;B32B15/00;B32B15/02 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于磁性薄膜材料领域，特别是提供了一种高磁电阻值的NiFe薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/纳米金属颗粒/MgO/NiFe/MgO/纳米金属颗粒/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。本发明的有益效果是：该材料具有磁电阻值高、退磁场小、制备方便和热稳定性好等优点，同时在很大程度上解决了NiFe薄膜材料在超薄情况下磁电阻值比较低的问题，可用于制作计算机硬盘读头、磁性随机存储器和各类磁传感器等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 阻值 nife 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高磁电阻值的NiFe薄膜材料，其特征在于：磁电阻薄膜材料结构为缓冲层/ MgO/纳米金属颗粒/ MgO/ NiFe/ MgO/纳米金属颗粒/ MgO/保护层。
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