[发明专利]共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法无效
| 申请号： | 201110102926.8 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102191563A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 马志华;左玉华;薛春来;成步文;王启明;郑世雄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;南安市三晶阳光电力有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一硅片；步骤2：在硅片中注入Al；步骤3：将过渡性金属元素注入到含Al的硅片中；步骤4：将含有Al和过渡性金属元素的硅片进行退火处理，完成共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 杂质 中间 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一硅片；步骤2：在硅片中注入Al；步骤3：将过渡性金属元素注入到含Al的硅片中；步骤4：将含有Al和过渡性金属元素的硅片进行退火处理，完成共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备。
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