[发明专利]多晶硅的制造方法无效
| 申请号： | 201080062049.X | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102741166A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 大盐敦保;大塚宏明;千代田修;沟口隆 | 申请（专利权）人： | 克斯莫石油株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅的制造方法，其特征在于，其包括：获得低纯度四氯化硅的四氯化硅制造工序；四氯化硅蒸馏工序；获得多晶硅的多晶硅制造工序；将该排气中的成分分离为氯化锌和未反应锌的混合物、未反应四氯化硅的第1分离工序；以及，将该氯化锌和未反应锌的混合物电解，获得锌和氯气的电解工序，将该第一分离工序中分离的该未反应四氯化硅输送到该四氯化硅蒸馏工序，与该低纯度四氯化硅一起蒸馏，将该电解工序中获得的氯气用作在该四氯化硅制造工序中反应的氯气，将该电解工序中获得的锌用作在该多晶硅制造工序中反应的锌。根据本发明，可以提供制造成本低、运转管理和装置管理简便的多晶硅的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅的制造方法，其特征在于，其包括：使原料金属硅与氯气反应，获得低纯度四氯化硅的四氯化硅制造工序，蒸馏该低纯度四氯化硅，获得高纯度四氯化硅的四氯化硅蒸馏工序，从反应炉的上部供给该高纯度四氯化硅的蒸气和锌的蒸气，从该反应炉的下部排出排气，在该反应炉内进行四氯化硅蒸气与锌蒸气的反应，并且使生成的多晶硅在该反应炉内析出，获得多晶硅的多晶硅制造工序，将该排气中的成分分离为氯化锌和未反应锌的混合物、和未反应四氯化硅的第1分离工序，以及，将该第1分离工序中分离的该氯化锌和未反应锌的混合物电解，获得锌和氯气的电解工序，将该第1分离工序中分离的该未反应四氯化硅输送到该四氯化硅蒸馏工序，与该低纯度四氯化硅一起蒸馏，将该电解工序中获得的氯气用作在该四氯化硅制造工序中反应的氯气，将该电解工序中获得的锌用作在该多晶硅制造工序中反应的锌。
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- 武内喜则;榊大介;大桥忠;松村尚 - 木野科技太阳能股份有限公司
- 2008-10-20 - 2010-09-15 - C01B33/033
- 本发明提供一种硅制造装置，其具有反应管(10)、锌供给管(30、30’)、锌投入部(40A、40B)、硅化合物供给管(50、50A、50B、50C、50c、54、57、90)和加热炉(20)；所述反应管用于使锌和硅化合物反应；所述锌供给管具有对锌进行加热、生成锌气体的加热部和向反应管内吐出锌气体而进行锌气体的供给的锌吐出部；所述锌投入部用于将锌投入到锌供给管内；所述硅化合物供给管具有硅化合物吐出部，该硅化合物吐出部用于将硅化合物气体向反应管内吐出而进行硅化合物气体的供给，使得硅化合物气体在反应管内从下方向上方流动；所述加热炉通过被设置在反应管的外方而划分出加热区域(α)，将反应管的一部分、加热部和锌吐出部设置在加热区域内进行加热，使得流通锌气体和硅化合物气体的反应管内的温度分布为反应管的中心轴(C)侧比反应管的侧周面侧低。
- 生产多晶硅的方法-200880103617.9
- 安德雷·帕夫洛维奇·丘卡诺夫;鲁斯兰·阿列克谢耶维奇·舍甫琴柯;亚历山大·尤列维奇·瓦赫鲁申;奥列格·亚历山德罗维奇·曼许里安特塞夫;斯特拉·瓦列里埃夫娜·斯梅坦金娜 - "索拉斯"有限责任公司
- 2008-08-15 - 2010-08-04 - C01B33/033
- 本发明涉及冶金和/或化学领域，更特别涉及用于生产四氟化硅气体和由所述四氟化硅气体生产多晶硅的方法和设备。用于由氟硅酸溶液生产四氟化硅的方法包括：生成、洗涤、干燥、分解酸提取物、将未分离的四氟化硅和氟化氢流鼓泡通过二氧化硅。硅生产方法包括使四氟化硅气体和镁蒸气相互反应，然后分离最终产物。本发明可以生产高纯硅、提高最终产率、改进生产的环保特性、简化硅生产过程并降低最终产物的生产成本。
- 硅的制备方法-200880105322.5
- 山林稔治 - 住友化学株式会社
- 2008-08-28 - 2010-07-21 - C01B33/033
- 本发明提供硅的制备方法。该制备方法是将下式(1)所示的卤化硅烷用金属还原的方法，具备以下步骤：第一步，在低于上述金属熔点的温度T1下，使上述金属的颗粒与上述卤化硅烷接触而获得硅；第二步：在上述第一步之后，在上述金属的熔点以上的温度T2下，使上述金属的残余物与上述卤化硅烷接触，进一步获得硅。SiHnX4-n(1)式中，n为0-3的整数，X分别表示选自F、Cl、Br和I的原子，n为0-2时，X彼此相同或不同。
- 一种太阳能级多晶硅的制备方法及装置-201010010059.0
- 张廷安;李景江;李瑞冰;豆志河;吕国志 - 沈阳金博新技术产业有限公司;东北大学
- 2010-01-08 - 2010-06-30 - C01B33/033
- 一种太阳能级多晶硅的制备方法及装置，装置由反应器和捕集器两部分组成，反应器由还原剂储备室和反应室两部分组成，捕集器由一级捕集器和二级捕集器构成。控制液态锌和7N级四氯化硅气体在650～900℃反应；产物被带入捕集器，将收集得到的多晶硅真空蒸馏、定向凝固得到6N级太阳能多晶硅；废气中SiCl4返回利用，ZnCl2蒸馏提纯后进行电解得到Zn和氯气返回利用。本发明方法主要原料是西门子法废弃的四氯化硅或冶金级四氯化硅经过蒸馏提纯得到的7N级的四氯化硅，生产成本低，同时解决了西门子法的污染问题。
- 一种利用活泼金属还原硅氯化物制造多晶硅的方法-200810201721.3
- 王武生 - 上海奇谋能源技术开发有限公司
- 2008-10-24 - 2010-06-09 - C01B33/033
- 本发明公开了一种利用活泼金属还原硅氯化物制造多晶硅的方法。本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种能耗少、工艺简单、成本低的一种利用活泼金属还原硅氯化物制造多晶硅的方法。所述方法是利用活泼金属还原硅的氯化物，将反应物进行分离清洗后从中获得硅粉，将所得硅粉在真空中蒸馏提纯，通过真空蒸馏使硅与其中的活泼金属及其中的其它杂质分离，使硅的纯度达到太阳能电池或电子工业硅纯度要求的方法。本发明用于制造太阳能电池或电子工业用的多晶硅原料。
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