[发明专利]波长转换半导体发光二极管有效
| 申请号： | 201080052992.2 | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102714261A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | D.西莫尼安;G.巴辛 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/64;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢建云;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种装置包含半导体结构(50)，该半导体结构包含布置在n型区域和p型区域之间的发光层。发光材料(58a，58b)定位于由发光层发射的光的路径中。热耦合材料(56)布置在透明材料(60)中。热耦合材料的热导率大于透明材料的热导率。热耦合材料置为散逸来自发光材料的热量。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 转换 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种装置，包含：包含发光层的半导体结构(50)；定位在由发光层发射的光的路径中的发光材料(58a，58b，58，66)；以及布置在透明材料(60)中的热耦合材料(56)；其中：热耦合材料不波长转换由发光层发射的光；热耦合材料的热导率大于透明材料的热导率；热耦合材料置为散逸来自发光材料的热量；以及热耦合材料的折射率与透明材料的折射率相差小于10%。
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