[发明专利]双沟槽整流器无效
| 申请号： | 201080047601.8 | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102725848A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡鸿平;陈世冠;高隆庆 | 申请（专利权）人： | 维谢综合半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种大功率密度或低正向电压的整流器，其利用阳极和阴极两者中的至少一个沟槽。沟槽形成于衬底的相对表面中，以增大半导体管芯每单位表面面积的结表面面积。这种结构允许增大电流负载而不增大水平管芯空间。电流处理能力增大允许整流器工作在更低的正向电压下。此外，本结构实现了衬底使用率高达30％的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 整流器 | ||
【主权项】：
一种沟槽整流器，包括：半导体衬底，其中所述衬底具有第一表面和基本平行于所述第一表面的第二表面；形成于所述衬底的所述第一表面中的第一沟槽，其中所述第一沟槽的内表面到垂直于所述第一沟槽的所述内表面的至少一部分延伸的第一深度为P型；以及形成于所述衬底的所述第二表面中的第二沟槽，其中所述第二沟槽到垂直于所述第二沟槽的所述内表面的至少一部分延伸的第二深度为N型。
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