[发明专利]制造SiC单晶的方法有效
| 申请号： | 201080003461.4 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102264955A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 坂元秀光;大黑宽典;藤原靖幸 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B9/06 | 分类号： | C30B9/06;C30B17/00;C30B19/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在制造SiC单晶的方法中，通过使SiC晶种与溶液接触从而在所述SiC晶种上生长SiC单晶，所述SiC晶种被固定至可旋转的晶种固定轴，所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得。所述方法包括：开始晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间(Td)之后开始坩埚的旋转；然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转；然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间(Ts)；并重复旋转/停止循环。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 sic 方法 | ||
【主权项】：
一种制造SiC单晶的方法，其中通过使SiC晶种与溶液接触从而在所述SiC晶种上生长SiC单晶，所述SiC晶种被固定至可旋转的晶种固定轴，所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得，所述方法包括：开始该晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间之后开始该坩埚的旋转；然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转；然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间；重复旋转/停止循环，所述旋转/停止循环包括：开始该晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间之后开始该坩埚的旋转，然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转，然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间。
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