[实用新型]一种用于等离子体蚀刻室的边环装置部件

摘要

一种用于等离子体处理室中的边环装置，包括介电耦合环和导电边环。在一种实施方式中，所述介电耦合环有从其内边缘向上辐射延伸的环形凸出部分。所述介电耦合环适于包绕等离子体处理室中的基底支撑物。所述导电边环适于包绕所述介电耦合环的所述环形凸出部分。被支撑在所述基底支撑物上的基底比所述基底支撑物要凸出并覆盖所述介电耦合环的所述环形凸出部分和所述介电边环的一部分。在另一种实施方式中，所述介电耦合环有长方形的截面。所述介电耦合环和所述导电边环适于包绕等离子体处理室中的基底支撑物。被支撑在所述基底支撑物上的基底比所述基底支撑物要凸出并覆盖所述介电边环的一部分。

主权项

用于等离子体蚀刻室中的边环装置部件，其中介电耦合环适于包绕所述等离子体蚀刻室中的基底支撑物，导电边环适于包绕并且被支撑在所述介电耦合环上，以便被支撑在所述基底支撑物上的基底比所述导电边环凸出一部分，其特征在于：所述介电耦合环，其具有：内圆柱表面，其直径在11.6至11.7英寸之间，高度在0.49至0.50英寸之间；外圆柱表面，其直径在13.2至13.3英寸之间，高度在0.39至0.40英寸之间，并且与所述内圆柱表面同轴；下表面，其与所述外圆柱表面的中心轴垂直，并从所述外圆柱表面的下边缘延伸直至所述内圆柱表面的下边缘；上表面，其与所述外圆柱表面的所述中心轴垂直，并从所述外圆柱表面的上边缘向内延伸；环形凸出部分，其从所述内圆柱表面的上边缘向外延伸，并从所述上表面的内边缘向上延伸，所述环形凸出部分的高度在0.09至0.11英寸之间，宽度在0.04至0.05英寸之间；和/或所述导电边环，其具有：内圆柱表面，其直径在11.7至11.8英寸之间，高度在0.095至0.105英寸之间；外圆柱表面，其直径在13.35至13.45英寸之间，高度在0.10至0.11英寸之间，并与所述内圆柱表面同轴；下表面，其与所述内圆柱表面的中心轴垂直，并从所述内圆柱表面的下边缘向外延伸，延伸距离在0.7至0.8英寸之间；上表面，其与所述外圆柱表面的中心轴垂直，并从所述外圆柱表面的上边缘向内延伸，延伸距离在0.5至0.6英寸之间；第一环形表面，其宽度在0.04至0.05英寸之间，与所述内圆柱表面的所述中心轴垂直，并从所述内圆柱表面的上边缘向外延伸；截头圆锥表面，其张角在119°至121°之间，宽度在0.20至0.22英寸之间，与所述内圆柱表面同轴，并从所述第一环形表面的外边缘向上和向外延伸至所述上表面 的内边缘；第二环形表面，其宽度在0.065至0.075英寸之间，与所述外圆柱表面的所述中心轴垂直，并从所述外圆柱表面的下边缘向内延伸；圆柱表面，其高度在0.085至0.095英寸之间，与所述外圆柱表面同轴，并从所述第二环形表面的内边缘延伸至所述下表面的外边缘。