[发明专利]非挥发性记忆体及其制造方法与记忆胞的操作方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法与记忆胞的操作方法。该非挥发性记忆体包括基底、第一与第二掺杂区、电荷捕捉结构、第一与第二栅极、栅间绝缘层。第一与第二掺杂区配置于基底中并沿第一方向延伸，且彼此交替排列。电荷捕捉结构配置于基底上。第一与第二栅极配置于电荷捕捉结构上。第一栅极沿第一方向延伸。每一第一栅极位于一个第一掺杂区上。第二栅极沿第二方向延伸，且位于第二掺杂区上。栅间绝缘层配置于第一与第二栅极之间。相邻的第一与第二掺杂区以及位于二者之间的第一与第二栅极、电荷捕捉结构定义出记忆胞。藉此本发明可抑制第二位元效应，增加操作裕度。本发明还提供了一种非挥发性记忆体的制造方法及记忆胞的操作方法。

主权项

一种非挥发性记忆体，其特征在于其包括：一基底；多个条状的第一掺杂区，配置于该基底中并沿一第一方向延伸；多个条状的第二掺杂区，配置于该基底中并沿该第一方向延伸，且该些第二掺杂区与该些第一掺杂区交替排列；一电荷捕捉结构，配置于该基底上；多个条状的第一栅极，配置于该电荷捕捉结构上并沿该第一方向延伸，且每一第一栅极位于该些第一掺杂区的其中一者上；多个条状的第二棚极，配置于该电荷捕捉结构上并沿一第二方向延伸，且位于该些第二掺杂区上，其中该第二方向与该第一方向交错；以及一栅间绝缘层，配置于该些第一栅极与该些第二栅极之间；其中相邻的该第一掺杂区与该第二掺杂区以及位于相邻的该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该第一栅极、该第二栅极与该电荷捕捉结构定义出一记忆胞。