[发明专利]RFLDMOS器件中自对准低电阻栅极的制备方法无效
| 申请号： | 201010504064.7 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102543695A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张帅;遇寒;孙勤;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种RFLDMOS器件中自对准低电阻栅极的制备方法，在衬底上形成的多晶硅栅极后，包括如下步骤：步骤一，在衬底上淀积介质层；步骤二，在介质层上淀积有机填充材料，有机填充材料为抗反射材料或光刻胶，覆盖多晶硅栅极的台阶；步骤三，刻蚀去除多晶硅栅极上面的介质层及有机填充材料，并在栅极两侧形成侧墙；步骤四，去除在源区和漏区上的有机填充材料、介质层以及栅氧，然后淀积与硅形成合金的金属；步骤五，经过退火处理在多晶硅栅极、源区和漏区上分别形成硅合金。本发明的制备方法，集成了低电阻栅和侧墙工艺，提高器件的高频特性，减少器件尺寸对工艺的依存性。 | ||
| 搜索关键词： | rfldmos 器件 对准 电阻 栅极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种RFLDMOS器件中自对准低电阻栅极的制备方法，其特征在于，在衬底上形成的多晶硅栅极后，包括如下步骤：步骤一，在衬底上淀积介质层；步骤二，在所述介质层上淀积有机填充材料，所述有机填充材料为抗反射材料或光刻胶，覆盖所述多晶硅栅极的台阶；步骤三，刻蚀去除所述多晶硅栅极上面的介质层及有机填充材料，并在所述栅极两侧形成侧墙；步骤四，去除在源区和漏区上的有机填充材料、介质层和栅氧，然后淀积与所述硅形成合金的金属；步骤五，经过退火处理在所述多晶硅栅极、源区和漏区上形成硅合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010504064.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高比重合金热处理方法
- 下一篇：醋酸乌利司他及其关键中间体的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
