[发明专利]硅晶片的制造方法无效
| 申请号： | 201010293644.6 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102034698A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 冈孝幸;若山隆史;园田朗 | 申请（专利权）人： | 诺利塔克股份有限公司;株式会社诺利塔克涂覆磨料 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;常殿国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅晶片的制造方法，其在由硅锭制造硅晶片时，可以改善成品率并可以防止生产效率的降低。在硅块表面的研磨中，通过使用环形研磨带(30)(金刚石研磨布)作为研磨工具，可以大幅度缩短硅块表面的研磨所需时间。另外，用环形研磨带(30)(金刚石研磨布)进行的研磨与用金刚石砂轮进行的研磨不同，可实现弹性研磨，因此，可以减轻研磨中进入硅块表面的微小的裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅晶片的制造方法，通过将硅锭分割成预定大小的硅块，并对该硅块表面进行研磨之后切断成薄板状来制造硅晶片，该制造方法的特征在于，所述硅块表面的研磨使用金刚石研磨布作为研磨工具。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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