[发明专利]控制导电基板雾度的制作方法无效
申请号: | 201010279957.6 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN102403395A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 李炳寰;洪丽玲;江鸿儒;胡英杰;蔡明雄 | 申请(专利权)人: | 亚树科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台南县新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种控制导电基板雾度的制作方法,其特征在于,该控制导电基板雾度的制作方法包含一基材准备步骤,及一升温镀膜步骤。该基材准备步骤是将一透明的基材加热至一第一温度,接着的升温镀膜步骤为将该基材升温至高于第一温度的第二温度,且在升温的过程同时将在该基材镀一导电薄膜,利用加热该基板及该基板升温的过程控制导电基板的雾度。以本发明制作方法所制得的导电基板具有较高的雾度,使该导电基板应用于薄膜太阳能电池时能借由较高的雾度而具有较佳的光吸收效率以吸收太阳光能。 | ||
搜索关键词: | 控制 导电 基板雾度 制作方法 | ||
【主权项】:
一种控制导电基板雾度的制作方法,其特征在于:该控制导电基板雾度的制作方法包含一基材准备步骤及一升温步骤,该基材准备步骤是将一基材加热至一不小于300℃的第一温度,该升温镀膜步骤是将该基材自该第一温度升温至一高于该第一温度的第二温度,并在该基材升温的过程中镀上一导电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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