[发明专利]真空处理装置无效
申请号: | 201010254611.0 | 申请日: | 2010-08-13 |
公开(公告)号: | CN102299043A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 矶村僚一;田内勤;近藤英明 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 史雁鸣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明的真空处理装置配备有:并列地连接到大气输送室的背面侧的第一和第二锁定室,在所述第一锁定室的后方侧与之连接的第一输送室,在该第一输送室的后方侧与之连接的第二输送室,在所述第二锁定室的后方侧与之连接的第三输送室,配置在所述第一输送室与第二输送室以及第一输送室与第三输送室之间、在它们之间交接晶片的第一及第二中转室,连接到所述第一、第二或第三输送室上的多个处理室,连接到所述第二输送室上的处理室的数目,比连接到所述第一或第三输送室上的处理室的数目多,在所述第二中转室中,只向所述第三输送室交接在连接到所述第一或第二输送室上的处理室中处理的所述晶片。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种真空处理装置,包括:大气输送室,所述大气输送室在前表面侧配置有盒台,该盒台载置在内部容纳晶片的盒,在该大气室的内部输送所述晶片;第一和第二锁定室,所述第一和第二锁定室并列地连接到该大气室的背面侧,能够将容纳所述晶片的内部的压力调节到真空压力;第一输送室,所述第一输送室位于所述第一锁定室的后方侧并与之连接,形成规定的真空压力,并且具有在其内部输送所述晶片的第一机器人;第二输送室,所述第二输送室配置在该第一输送室的后方侧,与该第一输送室连接,并且具有在真空下输送所述晶片的第二机器人;第三输送室,所述第三输送室位于所述第二锁定室的后方侧,并与之连接,和第一输送容器并列地配置,形成真空,并且具有在其内部输送所述晶片的第三机器人;第一及第二中转室,所述第一及第二中转室,在所述第一输送室与第二输送室及第一输送室与第三输送室之间可气密性地密封地连接配置,并且在内部具有容纳部,该容纳部在所述第一机器人及第二机器人之间或者所述第一机器人与所述第三机器人之间交接所述晶片;多个处理室,所述多个处理室连接于所述第一、第二或第三输送室,在内部处理所述晶片;在所述多个处理室中,连接于所述第二输送室的处理室的数目比连接于所述第一或第三输送室的处理室的数目大,在所述第二中转室中,只将在连接于所述第一或第二输送室的处理室中处理的所述晶片交接给所述第三机器人。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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