[发明专利]晶片加工方法

摘要

提供一种晶片加工方法，在晶片的内部沿着第1间隔道和第2间隔道形成变质层，该晶片在蓝宝石基板的表面层叠有发光层，在由沿预定方向延伸的多个第1间隔道以及与第1间隔道交叉形成的多个第2间隔道所划分的多个区域中形成有光器件，该方法包括：第1变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧沿着第1间隔道照射激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部沿着第1间隔道形成连续的第1变质层；和第2变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第2间隔道、但与第1间隔道的交叉部除外，照射激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部，沿着第2间隔道、但与第1间隔道的交叉部除外，形成第2变质层。

主权项

一种晶片加工方法，在晶片的内部沿着第1间隔道和第2间隔道形成变质层，该晶片在蓝宝石基板的表面层叠有发光层，在由沿预定方向延伸的多个第1间隔道和与该多个第1间隔道交叉形成的多个第2间隔道所划分的多个区域中形成有光器件，所述晶片加工方法的特征在于，包括：第1变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第1间隔道照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部沿着第1间隔道形成连续的第1变质层；和第2变质层形成步骤，从蓝宝石基板的背面侧，沿着第2间隔道、但与第1间隔道的交叉部除外，照射对于蓝宝石基板而言具有透射性的波长的激光，使会聚点位于蓝宝石基板的内部，在蓝宝石基板的内部，沿着第2间隔道、但与第1间隔道的交叉部除外，形成第2变质层。