[发明专利]GaN基LED外延片、芯片及器件无效
| 申请号： | 201010244358.0 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101931037A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李抒智;周颖圆;杨卫桥;马可军 | 申请（专利权）人： | 上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203 上海市张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开内量子效率较高的GaN基LED外延片、芯片及器件。上述外延片，包括P型区、N型区以及设置于P型区和N型区之间的有源层，该外延片基于非极性衬底；所述有源层包括多个量子阱组，所述量子阱组中包括量子阱，所述量子阱包括势垒层和势阱层，所述任一量子阱组的势阱层中铟组分含量与其他量子阱组的势阱层中铟组分含量不相同。从上述的技术方案可以看出，在本发明实施例中，基于非极性衬底可以制备出非极性GaN基材料。由于非极性GaN基材料的极化效应不强，也就不会产生强度较高的内建极化电场，从而降低了电子和空穴波函数向量子阱的两侧偏移、电子和空穴波函数交叠变少的概率，进而提高了内量子效率及发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 芯片 器件 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延片，由下至上包括衬底、N型区、有源层和P型区，其特征在于：所述衬底为非极性衬底；所述有源层包括多个量子阱组，所述量子阱组包括量子阱，所述量子阱包括势垒层和势阱层，所述任一量子阱组的势阱层中铟组分含量与其他量子阱组的势阱层中铟组分含量不相同。
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