[发明专利]改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法

摘要

本发明公开了一种改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法，采用改进的减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对场效应管的衬底进行化学机械抛光(CMP)，采用溅射钛/镍(Ti/Ni)合金的方法制作掩膜，使用ICP进行深背孔刻蚀。利用本发明，改进的减薄工艺制备出了厚度超薄，抛光面形貌优良的衬底，配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构。采用溅射钛/钨/金(Ti/W/Au)复合层金属的方法形成背金起镀层，电镀黄金形成背面金属散热结构，大大改善了电路的散热问题。

主权项

一种改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：在衬底正面的外延层上制作电路；步骤2：在该电路上涂敷光刻胶膜以保护该电路结构；步骤3：对衬底背面进行减薄；步骤4：采用熔点不同的有机粘附剂将衬底、石英薄片和陶瓷基板依次黏合，形成五层叠层结构；步骤5：采用CMP对衬底背面进行抛光；步骤6：分离该五层叠层结构得到背面抛光的衬底，然后采用磁控溅射在衬底背面制作Ti/Ni合金掩膜层；步骤7：对Ti/Ni合金掩膜层进行光刻，得到Ti/Ni合金掩膜层的刻蚀图形；步骤8：采用ICP工艺将衬底和衬底正面生长的外延层完全刻蚀干净，剩下Ti/Ni合金掩膜层的刻蚀图形；步骤9：在Ti/Ni合金掩膜层的刻蚀图形上光刻电镀图形，磁控溅射Ti/W/Au起镀层；步骤10：在该Ti/W/Au起镀层金属上光刻电镀用图形；步骤11：电镀Au，然后超声剥离出背面金属结构；步骤12：清洗，划片，封装，得到单个的氮化镓基场效应管电路。