[发明专利]碳纳米管团簇作芯片凸点的倒装芯片封装结构的制作方法

摘要

本发明涉及一种碳纳米管团簇作为芯片凸点的倒装芯片封装结构的制作方法，所述方法包含以下三个步骤：步骤一、在衬底上生长碳纳米管团簇阵列；步骤二、将步骤一得到的碳纳米管团簇阵列转移到芯片表面；步骤三、将具有碳纳米管团簇凸点的芯片倒装到基板上。本发明方法制作的倒装芯片封装结构，能减小芯片与凸点间热应力，缓解芯片与基板间热应力以及克服锡基焊球凸点的形变累计损伤。

主权项

一种碳纳米管团簇作为芯片凸点的倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于所述方法包含以下三个步骤：步骤一、在衬底上生长碳纳米管团簇阵列首先在衬底上形成掩膜，该掩膜根据芯片上芯片端子的分布来设计，然后在形成掩膜的衬底上生长碳纳米管团簇阵列，碳纳米管团簇阵列生长结束后将掩膜移除，至此便得到了与芯片端子分布相同的碳纳米管团簇阵列；步骤二、将步骤一得到的碳纳米管团簇阵列转移到芯片表面首先在芯片表面涂布一层第一导电胶或导电膜，然后将步骤一得到的碳纳米管团簇阵列与芯片上对应的芯片端子对准后粘连到芯片表面，粘连结束后将衬底去除，最终在芯片表面制备了碳纳米管团簇凸点；步骤三、将具有碳纳米管团簇凸点的芯片倒装到基板上首先在基板上涂布一层第二导电胶或导电膜，然后将步骤二制备的具有碳纳米管团簇凸点的芯片倒装到基板上，倒装结束后，用底填料填充所述凸点的间隙，最后在基板背面的焊盘上放置焊球并回流，得到碳纳米管团簇作为芯片凸点的倒装芯片封装结构。