[发明专利]以硅酸镁锂作为成型媒介的扩散阴极制备方法

摘要

一种以硅酸镁锂作为成型媒介的扩散阴极制备方法，属于微波真空电子器件领域，阴极基体制作按以下步骤进行操作：制备硅酸镁锂凝胶，硅酸镁锂凝胶与钨粉混合，喷雾干燥制备阴极基体粉末；压制成型；高温烧氢；同时并列制作阴极发射物质，将阴极基体浸渍发射物质。使用上述方法制备的扩散阴极发射参数一致性明显改善，效率提高10倍以上。

主权项

一种以硅酸镁锂作为成型媒介的扩散阴极制备方法，其特征在于，阴极基体制作按以下步骤进行操作：a.制备硅酸镁锂凝胶，将去离子水和硅酸镁锂粉末按100∶1～15的重量比关系混合分散成凝胶；b.按硅酸镁锂凝胶与钨粉为1～5∶1的重量比关系加入钨粉，搅拌均匀；c.采用喷雾干燥机制备阴极基体粉末；d.应用自动压机在1.5～7T/cm2压力下进行阴极基体的自动压制成型；e.在高温氢炉中进行阴极基体的烧结，烧结过程中，作为成型媒介的硅酸镁锂得到了有效去除；与a～e五步骤的同时，并列进行着a′～e′五步骤的阴极发射物质制作，它们是：a′.阴极发射物质的配制；b′.采用共沉淀法制作发射物质的沉淀悬浮液；c′.在悬浮液中按100∶1～15的重量比关系加入硅酸镁锂，分散成凝胶；d′.经过喷雾干燥机进行喷雾干燥，制备出含有硅酸镁锂的发射物质粉末；e′.应用自动压机在1.5～7T/cm2压力下进行发射物质的自动压制成型，压制后的发射物质块体可以精确定量，从而保证阴极基体浸渍量的精确；两个并列的五步骤之后，共同进入f、g步骤：f.阴极基体浸渍发射物质，将压制成型的发射物质块体放在烧结后的阴极基体上，在氢气炉中，在1600～2000℃的温度下将发射物质浸渍到阴极基体中；g.以硅酸镁锂作为成型媒介的扩散阴极制备完毕待用。