[发明专利]磁阻存储器器件和集成电路以及形成自旋扭矩结构的方法有效
| 申请号： | 201010192820.7 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101901867A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | D·沃利奇 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻存储器器件和集成电路以及形成自旋扭矩结构的方法。提出了磁阻结构、器件、存储器及其形成方法。例如，一种磁阻结构包括：第一铁磁性层；第一非磁性间隔物层，其邻近所述第一铁磁性层；第二铁磁性层，其邻近所述第一非磁性间隔物层；以及第一反铁磁性层，其邻近所述第二铁磁性层。例如，所述第一铁磁性层可以包括第一钉扎铁磁性层，所述第二铁磁性层可以包括自由铁磁性层，并且所述第一反铁磁性层可以包括自由反铁磁性层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储器 器件 集成电路 以及 形成 自旋 扭矩 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻结构，包括：第一铁磁性层；第一非磁性间隔物层，其邻近所述第一铁磁性层；第二铁磁性层，其邻近所述第一非磁性间隔物层且包括自由铁磁性层；以及第一反铁磁性层，其邻近所述第二铁磁性层，其中所述第一反铁磁性层包括自由反铁磁性层。
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