[发明专利]横向半导体部件有效
| 申请号： | 201010164378.7 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101859780A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | J·韦耶斯;A·莫德;F·赫勒;P·库珀 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/28;H01L29/78;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及横向半导体部件。公开了一种具有载体层和第一及第二半导体层的半导体部件装置。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 半导体 部件 | ||
【主权项】：
具有横向晶体管部件的半导体部件装置，包括：电绝缘载体层；该载体层上的第一和第二半导体层，其被布置成一个在另一个上方并且通过电介质层彼此隔开以及其中至少第一半导体层包括多晶半导体材料、非晶半导体材料或有机半导体材料；在第一半导体层中：源区、主体区、漂移区和漏区；在第二半导体层中：邻近漂移区布置的漂移控制区，包括在第一横向末端的用于施加控制电位的控制端子并且在第二横向末端经由整流元件耦合到漏区；栅电极，邻近主体区布置并且通过栅电介质层与主体区电介质绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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