[发明专利]直字符线反或型闪存阵列的制作方法

摘要

本发明公开了一种直字符线反或型(NOR)闪存阵列的制作方法，其是在反或型闪存阵列中的字符线完成后开始进行源极行的注入，且是在该反或型(NOR)闪存阵列的基板中形成平行于组件隔离结构的间断式注入区，每一间断式注入区使源极列与源极行上的源极接点间形成低阻抗的电性连接，再者，此种间断式的分布就算在屏蔽发生偏移时，也不造成邻近存储单元的短路与失效。

主权项

一种直字符线反或型闪存阵列的制作方法，其特征在于，所述制作方法应用于一基板上，其包含下列步骤：形成互相平行的多个组件隔离结构在所述基板上；形成互相平行的多个栅极堆栈结构在所述基板上，且与所述组件隔离结构互相垂直；形成分别位于每一栅极堆栈结构上的多个顶盖层，使其成为一直条状的字符线；形成多个源极列及多个漏极列在相邻的栅极堆栈结构间的基板中，其中，所述源极列及所述漏极列与所述栅极堆栈结构互相平行，且所述源极列及所述漏极列交替地排列于所述栅极堆栈结构之间，每一源极列具有分别位于所述组件隔离结构间的多个源极掺杂区域，每一漏极列具有分别位于所述组件隔离结构间的多个漏极掺杂区域；通过一屏蔽的安排，进行一源极行注入制造工艺，以在该基板中形成平行于所述组件隔离结构的多个间断式注入区，其中，每一间断式注入区至少涵盖所述源极列；形成分别位于每一栅极堆栈结构侧壁的多个间隙壁；形成分别位于每一漏极列上的相邻间隙壁间的多个漏极线；以及在每一漏极列上形成多个漏极接点及至少一源极接点，其中，所述接点互相绝缘隔离。