[发明专利]Zr-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010131947.8 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101775577A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 宋忠孝;吴汇焱;吴胜利;徐可为;史彦慧;刘纯亮;刘录平;马凌志;岳晴雯 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及表面传导电子发射薄膜材料，公开了一种Zr-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法。它包括以下步骤：在N2/Ar混合气体氛围中，以玻璃为基体，同时以Zr靶与Si靶进行反应磁控溅射，沉积生成具有ZrNX导电相与SiNX绝缘相的Zr-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | zr si 纳米 结构 表面 传导 电子 发射 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Zr-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在N2/Ar混合气体氛围中，以玻璃为基体，同时以Zr靶与Si靶进行反应磁控溅射，沉积生成具有ZrNX导电相与SiNX绝缘相的Zr-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010131947.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
