[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010130215.7 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101840912A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 罗明健;吴国雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/522;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，用以制造具有穿硅导孔(TSV)的半导体芯片连接。该半导体装置包括：一第一基板；一第一多层介电层；一第一导孔延伸穿越该第一基板及一层或多层该第一多层介电层；以及一第二导孔延伸穿越该第一基板及一层或多层该第一多层介电层，该第二导孔所穿越该第一多层介电层的层数多于该第一导孔所穿越该第一多层介电层的层数。本发明的半导体芯片制作有先导孔工艺的穿硅导孔及后导孔工艺的穿硅导孔，为了建立一低电阻的路径，供相邻芯片之间的芯片连接，以及提供一低电阻的路径供多重芯片之间的馈孔(feedthrough)通道。通过精确地视实际TSV的使用而提供不同的穿硅导孔(TSV)，能降低整体的连线电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一第一基板；一第一多层介电层；一第一导孔延伸穿越该第一基板及一层或多层该第一多层介电层；以及一第二导孔延伸穿越该第一基板及一层或多层该第一多层介电层，该第二导孔所穿越该第一多层介电层的层数多于该第一导孔所穿越该第一多层介电层的层数。
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