[发明专利]硅通孔侧壁隔离结构有效
| 申请号： | 201010103550.8 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101789417A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 余振华;邱文智;吴文进 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了用于改进的硅通孔隔离结构的系统和方法。一个实施例包括具有在其上形成的电路的衬底的半导体器件。在衬底上方形成一个或多个介电层，并且将开口蚀刻进该结构中，开口从一个或多个介电层的表面开始延伸穿过一个或多个介电层进入衬底；开口具有侧壁。在开口的侧壁上方形成低k介电层。开口填充有导电材料和/或阻挡层，以制造通过低k介电层与周围衬底隔离的硅通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 侧壁 隔离 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有形成在其上的电路；一个或多个介电层，形成在所述衬底上方；开口，通过所述一个或多个介电层延伸到所述衬底中，所述开口填充有导电材料；以及低k介电层，介于所述衬底和所述导电材料之间。
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