[发明专利]有害化合物的无害化方法及有机半导体元素化合物的制造方法有效
| 申请号： | 200980144265.6 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102203107A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 中村浩一郎 | 申请（专利权）人： | 日本板硝子株式会社 |
| 主分类号： | C07F9/72 | 分类号： | C07F9/72;A62D3/176;A62D3/30;B01J31/22;B01J35/02;A62D101/40;A62D101/43 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用有机钴络合物使有害的砷、锑和硒化合物无害化的方法，该方法能够对成本方面进行改善。本发明涉及一种有害化合物的无害化方法，该方法包括：对含有钴作为中心金属并含有咕啉环作为配体的有机钴络合物、甲基供体、二氧化钛光催化剂和有害化合物进行光照射，从而使有害化合物甲基化，该有害化合物含有砷原子、锑原子或硒原子。本发明中，优选使有害化合物三甲基化。 | ||
| 搜索关键词： | 有害 化合物 无害化 方法 有机半导体 元素 制造 | ||
【主权项】：
一种有害化合物的无害化方法，其中，该方法包括：对含有钴作为中心金属并含有咕啉环作为配体的有机钴络合物、甲基供体、二氧化钛光催化剂和有害化合物进行光照射，从而使有害化合物甲基化，该有害化合物含有砷原子、锑原子或硒原子。
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