[发明专利]存储器装置及形成方法

摘要

一种方法包括在具有含金属导电互连的集成电路上方形成电绝缘体材料，及将衬底的半导体材料中的掺杂剂活化以提供经掺杂区。所述经掺杂区提供具有相对导电性类型的结。在将所述掺杂剂活化之后，将所述衬底接合到所述绝缘体材料且移除所述衬底的接合到所述绝缘体材料的至少一些部分。在所述移除之后，形成存储器单元，所述存储器单元具有均电串联连接的字线、存取二极管、含有硫族化物相变材料的状态可变存储器元件及位线，所述存取二极管含有如p-n结的结。一种存储器装置包括粘合材料，所述粘合材料位于所述绝缘体材料上方且将所述字线接合到所述绝缘体材料。

主权项

一种方法，其包含：提供具有含金属导电互连的集成电路；在所述集成电路上方形成电绝缘体材料；提供含有展现第一导电性类型的半导体材料的衬底；仅在所述半导体材料的一部分中放置掺杂剂；将所述掺杂剂活化以提供含有所述经活化掺杂剂的经掺杂区，所述经掺杂区展现与所述第一导电性类型相对的第二导电性类型且所述经掺杂区提供其中所述半导体材料的一部分仍展现所述第一导电性类型的结；在将所述掺杂剂活化之后，将所述衬底接合到所述绝缘体材料；移除所述衬底的接合到所述绝缘体材料的至少一些部分以暴露下伏绝缘体材料中的至少一些材料；以及在所述移除之后，形成存储器单元，所述存储器单元具有均电串联连接的字线、存取二极管、含有硫族化物相变材料的状态可变存储器元件及位线，所述存取二极管含有如p‑n结的结，所述位线与所述字线重叠于交叉点处，且所述存取二极管及存储器元件于所述交叉点处在所述字线与所述位线之间延伸。