[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200980140244.7 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102177579A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 森修治;清水孝司;西村望 | 申请（专利权）人： | 株式会社三井高科技 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 吕林红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具有与半导体元件(11)电气连接的端子(14)、和密封端子(14)的一部分以及半导体元件(11)的密封树脂(15)，其中，在从密封树脂(15)中部分突出的端子(14)的底面(17)上，形成由Ag、Sn、以及Ni的任何一种构成的电解镀敷层(19)，其上形成由Ni、Sn、Ag、Ag/Au、Ni/Au、Ni/Ag、Ni/Pd/Au、以及Ni/Pd/Ag的至少一种构成的无电解镀敷层(22)，在突出的端子(14)的侧面(20)上，形成与在突出的端子(14)的底面(17)上形成的无电解镀敷层(22)原料相同的无电解镀敷层(22)。由此，能够防止在从背面腐蚀引线框材料(32)，使端子(14)独立时露出的端子侧面(基准距侧面)被氧化等而污染，而使整体的制造成本便宜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有半导体元件、与该半导体元件电气连接的端子、密封该端子的一部分以及上述半导体元件的密封树脂，其特征在于，在从上述密封树脂中部分突出的1)上述端子、或者2)上述端子以及元件搭载部的底面上，形成由Ag、Sn、Ni、Ni/Au、Ni/Ag、Ni/Pd/Au、以及Au的任何一种构成的电解镀敷层，其上形成至少一层以上的无电解镀敷层，在突出的1)上述端子、或者2)上述端子以及上述元件搭载部的侧面上，形成与在其底面上形成的上述无电解镀敷层原料相同的无电解镀敷层。
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