[发明专利]没有金属二硫化物阻挡材料的高效率光伏电池和制造方法有效
| 申请号： | 200980122302.3 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102067278A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 霍华德·W·H·李 | 申请（专利权）人： | 思阳公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成薄膜光伏装置的方法，包括，提供包括表面区域的透明基板，并形成覆盖表面区域的第一电极层。另外，该方法包括，通过至少溅射包括铟铜材料的靶以形成包括在约1.35∶1至约1.60∶1范围内的Cu∶In原子比的铜铟材料。该方法进一步包括，使铜铟材料在包含含硫物质的环境中经受热处理工艺。此外，该方法包括，至少由铜铟材料的热处理工艺形成铜铟二硫化物材料，并将铜铟二硫化物材料与电极之间的界面区域保持为基本上没有具有与铜铟二硫化物材料不同的半导体特性的金属二硫化物层。此外，该方法包括形成覆盖铜铟二硫化物材料的窗口层。 | ||
| 搜索关键词： | 没有 金属 二硫化物 阻挡 材料 高效率 电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成薄膜光伏装置的方法，所述方法包括：提供包括表面区域的透明基板；形成覆盖所述表面区域的第一电极层；形成覆盖所述第一电极层的阻挡层以形成界面区域；形成覆盖所述阻挡层的铜层；形成覆盖所述铜层的铟层以形成多层结构；至少使所述多层结构在包含含硫物质的环境中经受热处理工艺；至少由所述多层结构的处理工艺形成铜铟二硫化物材料，所述铜铟二硫化物材料包括在约1.35∶1至约1.60∶1范围内的铜与铟原子比；保持所述界面区域基本上没有具有与所述铜铟二硫化物材料不同的半导体特性的金属二硫化物层；形成覆盖所述铜铟二硫化物材料的窗口层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思阳公司，未经思阳公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980122302.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制备高硅分子筛的方法
- 下一篇：一种基于数据手套的手语识别装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
