[实用新型]低压齐纳二极管新型结构无效
| 申请号： | 200920175501.8 | 申请日： | 2009-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN201440419U | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 陈永利 | 申请（专利权）人： | 朝阳无线电元件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 122000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低压齐纳二极管新型结构，所述二极管由两个PN结构成，一个是扩散结，另一个是合金结；扩散结包围合金结，合金结的结深近似等于扩散结的结深。它采用扩散和合金的办法，在单晶片上制作双结得到低压齐纳二极管，具有击穿电压低，反向漏电流小，动态电阻低，对档率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 齐纳二极管 新型 结构 | ||
【主权项】：
一种低压齐纳二极管新型结构，其特征在于：所述二极管由两个PN结构成，一个是扩散结，另一个是合金结；所述扩散结包围合金结，所述合金结的结深近似等于扩散结的结深。
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