[发明专利]一种集成电路封装用AuSn20合金钎料的制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 200910244558.3 申请日: 2009-12-30
公开(公告)号: CN102114584A 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 张昆;章明溪;黄小凯 申请(专利权)人: 北京有色金属与稀土应用研究所
主分类号: B23K35/40 分类号: B23K35/40;B23K35/30
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 朱丽华
地址: 100012*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种集成电路封装用AuSn20合金钎料的制备方法:按配比备金和锡;将它们放熔铸炉中;封炉,抽真空;升温,待全熔化后,控制熔体的温度在500~600℃间,精练,使其合金化并脱气,浇注在石墨模中;将得到的AuSn20合金棒放入石英管中,加热;封炉,抽真空至4~6Pa;升温并控温升;待合金棒熔化,控制熔体的温度在500~600℃间,并精炼2~3分钟;使用真空急冷甩带机甩带,甩带时熔体的温度控制在500~600℃之间,由石英管上口通入高压氮气,氮气压力10~15大气压,使该合金熔体从石英管底孔喷到真空急冷甩带机高速旋转的金属轮上,得到带材。还可再轧制加工,制成箔带材或冲压加工,制备对应规格的片或环状的深加工制品。用该方法可制得集成电路性能优越的产品。
搜索关键词: 一种 集成电路 封装 ausn20 合金 制备 方法 用途
【主权项】:
一种集成电路封装用AuSn20合金钎料的制备方法,所述的AuSn20合金钎料的成分组成及质量百分比为:Sn:20%±1%,Au:余量;其特征在于制备方法步骤如下:1)按Sn:20%±1%,Au:余量的配比范围计算、称重,准备高纯金和高纯锡材料;2)将金和锡放入真空熔铸炉的氧化铝坩埚中;3)封炉,抽真空至4~6Pa;4)升温,控制升温速度25~35℃/分钟;5)待金和锡全部熔化后,控制熔体的温度在500~600℃之间,精练4~6分钟,使其充分合金化,并充分脱气;6)浇注,浇注温度在500~600℃之间,浇注在石墨模中,得到AuSn20合金棒;7)将得到的AuSn20合金棒放入带底孔的石英管中,采用高频感应圈加热;8)封炉,抽真空至4~6Pa;9)升温,控制升温速度50~60℃/分钟;10)待AuSn20合金棒熔化后,控制熔体的温度在500~600℃之间,并精炼2~3分钟;11)使用真空急冷甩带机甩带,让熔融的合金液体接触高速旋转的铜辊,合金液体急速冷却凝固在甩带机中的铜辊表面,形成很薄的带材;甩带时熔体的温度控制在500~600℃之间,由石英管上口通入高压氮气,氮气压力10~15大气压,使AuSn20合金熔体从石英管底孔喷出;采用急冷甩带技术加工成AuSn20合金带材钎料。
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