[发明专利]光刻机曝光剂量控制方法有效
| 申请号： | 200910199446.0 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102081307A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张俊;张志钢;罗闻 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的光刻机曝光剂量控制方法包括以下步骤：步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件；所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req；步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光。本发明的光刻机曝光剂量控制方法灵活性强，测试过程中，操作简单、直观。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 剂量 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻机曝光剂量控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件；所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req；步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光。
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