[发明专利]用于制造半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 200910168313.7 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101659027A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | K·勒特格;G·海尔;A·海尔迈尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/02;C09G1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造半导体晶片的方法，其包括在上下抛光圆盘之间抛光该半导体晶片，其中位于载体圆盘的留空中的半导体晶片在加入抛光剂的情况下双面抛光，直至该半导体晶片在半导体晶片中心的厚度与载体圆盘厚度之差为负数，去除材料的总量达到10μm至30μm，所述抛光剂包含0.1至0.4重量％的SiO2及0.1至0.9重量％的碱性组份。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1、用于制造半导体晶片的方法，其包括在上下抛光圆盘之间抛光该半导体晶片，其中位于载体圆盘的留空中的半导体晶片在加入抛光剂的情况下双面抛光，直至该半导体晶片在半导体晶片中心的厚度与载体圆盘厚度之差为负数，去除材料的总量达到10μm至30μm，其中所述抛光剂包含0.1至0.4重量％的SiO2及0.1至0.9重量％的碱性组份。
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