[发明专利]薄膜晶体管结构无效
申请号: | 200910142738.0 | 申请日: | 2009-06-02 |
公开(公告)号: | CN101562199A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 杨易昌;林秀如;郑孝威 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/417 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是关于一种薄膜晶体管结构。薄膜晶体管结构包括一源极以及一漏极,其中,源极及漏极的对应面至少局部为互补的连续凹凸面,并通过其连续凹凸面所延伸的对应长度,增加薄膜晶体管的充电能力。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管结构,其特征在于,所述晶体管结构包括:一源极,所述源极包括一第一部分,所述第一部分具有一第一侧缘;以及一漏极,所述漏极包括一第二部分,所述第二部分具有一第二侧缘;其中,所述第一侧缘朝向所述第二部分,所述第二侧缘朝向所述第一部分,并且所述第一侧缘与所述第二侧缘分别具有多个凹凸,所述第一侧缘的所述这些凹凸与所述第二侧缘的所述这些凹凸实质上彼此互补。
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