[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200910109336.0 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101997035A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘锴;冯辰;姜开利;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/43;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括一源极、一漏极、一半导体层及一栅极。该漏极与该源极间隔设置。该半导体层与该源极和漏极电连接。该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置。该源极、漏极和/或栅极分别包括一碳纳米管金属复合层，该碳纳米管金属复合层包括一碳纳米管层及包覆于该碳纳米管层表面的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；一绝缘层以及一栅极，该栅极通过该绝缘层分别与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其特征在于，该源极、漏极和/或栅极分别包括一碳纳米管金属复合层，该碳纳米管金属复合层包括一碳纳米管层及包覆于该碳纳米管层表面的金属层。
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