[发明专利]沟槽的填充方法有效
| 申请号： | 200910057115.3 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101872739A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 彭虎;谢烜;季伟;缪燕 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/764;H01L21/316;C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽的填充方法，所述沟槽的宽度在1μm以上，沟槽的深度在3μm以上，包括如下步骤：第1步，在具有沟槽的硅片表面上，采用LPCVD工艺以TEOS为原料淀积一层SiO2；第2步，在硅片表面上，采用APCVD或SACVD工艺以TEOS和O3为原料再淀积一层SiO2；第3步，在硅片表面上，采用PECVD工艺以TEOS和O2为原料再淀积一层SiO2。按照本发明所述方法对沟槽填充后，沟槽内的填充物为多层薄膜结构，在后续高温炉退火工艺中该多层薄膜结构不会发生破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽的填充方法，所述沟槽的宽度在1μm以上，沟槽的深度在3μm以上，其特征是，包括如下步骤：第1步，在具有沟槽的硅片表面上，采用LPCVD工艺以TEOS为原料淀积一层SiO2；第2步，在硅片表面上，采用APCVD或SACVD工艺以TEOS和O3为原料再淀积一层SiO2；第3步，在硅片表面上，采用PECVD工艺以TEOS和O2为原料再淀积一层SiO2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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