[发明专利]提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法有效
| 申请号： | 200910050591.2 | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101545143A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 曹顿华;赵广军;董勤;陈建玉;丁雨憧;程艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法，其特点是对石墨加热体方法生长的Ce:YAG晶体进行低温氧气退火或高温氢气退火。包括以下步骤：先用丙酮或者酒精清洗晶体；把Ce:YAG晶体放在炉膛的白宝石或者纯YAG晶体基片上；升温；恒温退火；降温到室温；从炉膛取出Ce:YAG晶体。本发明能有效地消除晶体中存在的碳相关的缺陷，提高晶体的透过性能；氧化晶体中生长过程中形成Ce2+离子，因此需要提高Ce3+离子浓度，同时尽可能抑制Ce4+离子，避免Ce4+离子引起的淬灭效应，从而最大程度地提高Ce:YAG晶体的发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 掺铈钇铝 石榴石 晶体 发光 效率 退火 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法，其特征在于对石墨加热体方法生长的Ce：YAG晶体进行低温氧气退火或高温氢气退火。
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