[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法有效
| 申请号： | 200910049562.4 | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101866883A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;邹立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/027;H01L27/146;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器的制造方法，包括，提供像素单元版图；所述像素单元版图包括光电二极管有源区，晶体管有源区，晶体管栅极区。对所述版图的晶体管栅极区进行手动光学邻近修正，得到修正栅极区后的像素单元版图。根据修正栅极区后的像素单元版图对原始版图进行优化，所述优化的像素单元版图的光电二极管有源区面积大于所述像素单元版图的光电二极管有源区面积。根据优化后的像素单元版图制备像素单元。本发明制备得到的CMOS图像传感器满足器件工艺参数并且填充因子高，有效地提高CMOS图像传感器的图像质量。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供像素单元版图；所述像素单元版图包括光电二极管有源区，晶体管有源区，晶体管栅极区；对所述版图的晶体管栅极区进行手动光学邻近修正，得到修正栅极区后的像素单元版图；根据修正栅极区后的像素单元版图对光电二极管有源区和晶体管栅极区进行优化，所述优化的像素单元版图的光电二极管有源区面积大于所述像素单元版图的光电二极管有源区面积；根据优化后的像素单元版图制备像素单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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